北京航空航天大学从2007年的第9，统计到2012年小涨到第8，再到今年大涨到并列第一
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图二表面离子栅对ZnO纳米线在不同气氛中的调控特性图2（a）ZnO纳米线肖特基势垒器件在暗态下的电流-电压曲线，消费内嵌图片为ZnO纳米线的FESEM图像。和生图四ZnO纳米线的光响应曲线及在表面离子栅调控下的光电流开关曲线图4ZnO纳米线器件在暗态和紫外光照下的电流-电压曲线（a）及不同气氛下的光电流开关曲线（b）。产增（b）负电晕放电离子运动示意图。
在调控中，落图表面形成的表面局域电荷起到与FET的栅极电压类似的作用，因此，将该方法叫做表面离子栅调控技术。统计图六表面离子栅调控的ZnO纳米线快速紫外光检测器的工作机制图6不同状态下器件的能带示意图。
月份（b）关闭光源后电子自然转移形成的带弯。
电力【图文导读】图一基于摩擦纳米发电机诱导的气体放电的表面离子栅调控技术示意图（a）基于摩擦纳米发电机诱导的气体放电的表面离子栅调控技术示意图。投稿以及内容合作可加编辑微信：消费RDD-2011-CHERISH，任丹丹，我们会邀请各位老师加入专家群。
名次下降非常明显的有三所，和生分别是东北大学、中南大学、北京科技大学。中南大学从2007年的第二名，产增退到2012年的第8名，再退到2017年的前17名（A-等，并列第9，成绩最好的情况是第九，最差是第十七）。
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